突触后电位兴奋

兴奋性突触后电位 (EPSP) 是突触后细胞膜电位向去极化（接近兴奋阈值）的变化，以响应突触前末梢释放兴奋性递质。

当离子通道被激活时，EPSP 就会发生，从而允许带正电的离子（例如 Na+ 离子）进入细胞。这导致膜的局部去极化和膜电位降低。 EPSP 的幅度取决于释放的递质数量和突触后受体的密度。

EPSP在神经元的兴奋和神经冲动的传递中起着关键作用。 EPSP 在空间和时间上的总和可以导致突触后细胞中动作电位的产生。因此，EPSP是神经系统中执行兴奋性突触输入的主要机制之一。

突触后电位（PSP）是突触后膜突触后空间的电反应。突触后膜位于突触前膜后面，是突触的一部分。在那里，神经冲动和突触电位之间发生相互作用。 PSP 有两种类型：兴奋性和抑制性。它们的产生是由于内源性和外源性电活动、动作电位的产生以及电紧张电荷通过狭缝隔膜进入过程引起的结构变化。兴奋电位包括动作电位和相关的短期正突触后电流，以及发生在神经细胞突触后膜上的超极化，即与电压门控离子通道接触时。神经系统（特别是突触）的结构和功能的中心研究对象是神经生理学的动态数学装置 - 电和电磁现象的数学理论的基础，